इलेक्ट्रॉनिक पुर्ज़े : GT10J30306

निर्माता : Toshiba Semiconductor

पैकिंग :

पिन :

वर्णन : SILICON CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS

तापमान : न्यूनतम °C | मैक्स °C

Datasheet : GT10J30306 PDF

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