इलेक्ट्रॉनिक पुर्ज़े : GT30J121_06

निर्माता : Toshiba Semiconductor

पैकिंग :

पिन :

वर्णन : Silicon Channel IGBT High Power Switching Applications

तापमान : न्यूनतम °C | मैक्स °C

Datasheet : GT30J121_06 PDF

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