इलेक्ट्रॉनिक पुर्ज़े : HGT1S10N120BNS9A

निर्माता :

पैकिंग :

पिन :

वर्णन : TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 17A I(C) | TO-263AB

तापमान : न्यूनतम °C | मैक्स °C

Datasheet :

• HGT1S10N120BNS
• HGT1S10N120BNS9A