इलेक्ट्रॉनिक पुर्ज़े : HGT1S12N60B3DS9A

निर्माता :

पैकिंग :

पिन :

वर्णन : TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 12A I(C) | TO-263AB

तापमान : न्यूनतम °C | मैक्स °C

Datasheet :

• HGT1S12N60B3DS
• HGT1S12N60B3DS9A
• HGT1S12N60B3S
• HGT1S12N60B3S9A