इलेक्ट्रॉनिक पुर्ज़े : HN2D01JE

निर्माता : Toshiba Semiconductor

पैकिंग :

पिन :

वर्णन : Silicon Epitaxial Planar Type Ultra High Speed Switching Application

तापमान : न्यूनतम °C | मैक्स °C

Datasheet : HN2D01JE PDF

• HN2D01F
• HN2D01F07
• HN2D01FU
• HN2D01F_07
• HN2D01JE
• HN2D02FU
• HN2D02FUTW1T1
• HN2D02FUTW1T1/D
• HN2D03F