इलेक्ट्रॉनिक पुर्ज़े : JDH3D01FV

निर्माता : Toshiba Semiconductor

पैकिंग :

पिन :

वर्णन : Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type wave detection

तापमान : न्यूनतम °C | मैक्स °C

Datasheet : JDH3D01FV PDF

• JDH3D01FV
• JDH3D01S