इलेक्ट्रॉनिक पुर्ज़े : RFP10P12

निर्माता : GESS[GE

पैकिंग :

पिन :

वर्णन : P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS

तापमान : न्यूनतम °C | मैक्स °C

Datasheet : RFP10P12 PDF

• RFP10N12
• RFP10N12L
• RFP10N15
• RFP10N15L
• RFP10P03L
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