इलेक्ट्रॉनिक पुर्ज़े : RJK2006DPE

निर्माता : Renesas Technology Corp

पैकिंग :

पिन :

वर्णन : Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

तापमान : न्यूनतम °C | मैक्स °C

Datasheet :

• RJK2006DPE
• RJK2006DPE-00-J3
• RJK2006DPE-TL-E
• RJK2006DPF
• RJK2006DPJ
• RJK2006DPJ_09