इलेक्ट्रॉनिक पुर्ज़े : W4NXD8C-L000

निर्माता : Cree

पैकिंग :

पिन :

वर्णन : Diameter 50.8mm; low mircopipe density; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition

तापमान : न्यूनतम °C | मैक्स °C

Datasheet : W4NXD8C-L000 PDF

• W4NXD8C-0000
• W4NXD8C-L000
• W4NXD8C-S000