इलेक्ट्रॉनिक पुर्ज़े : W4NXE8C-LD00

निर्माता : Cree

पैकिंग :

पिन :

वर्णन : Diameter 76.2mm; low micropipe density; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition

तापमान : न्यूनतम °C | मैक्स °C

Datasheet : W4NXE8C-LD00 PDF

• W4NXE8C-0D00
• W4NXE8C-LD00
• W4NXE8C-SD00